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Trifluorure d'azote (NF3)
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Contactez-nousCaractéristiques
| Pureté, % | 99,99 |
| Oxygène | ≤3,0 ppmv |
| Azote | ≤ 5,0 ppmv |
| dioxyde de carbone | ≤1,0 ppmv |
| Monoxyde de carbone | ≤1,0 ppmv |
| Méthane | ≤1,0 ppmv |
| Eau | ≤1,0 ppmv |
| tétrafluorure de carbone | ≤1,0 ppmv |
| Oxyde nitreux | ≤ 2,0 ppmv |
| hexafluorure de soufre | ≤1,0 ppmv |
| acide fluorhydrique | ≤1,0 ppmv |
Informations techniques
| État du cylindre à 21,1 °C | Gaz |
| Limites d'inflammabilité dans l'air | Ininflammable |
| Température d'auto-allumage (°C) | - |
| Masse moléculaire (g/mol) | 71 |
| Densité relative (air = 1) | 2,46 |
| Température critique ( °C ) | -39,15 |
| Pression critique (psig) | 632,19 |
Description
Le trifluorure d'azote est un composé inorganique de formule NF₃. C'est un gaz incolore, ininflammable et toxique, à l'odeur légèrement âcre. Contrairement à l'ammoniac, il n'est pas basique. Son utilisation se développe dans la fabrication d'écrans plats, de cellules photovoltaïques, de LED et d'autres composants microélectroniques. Le NF₃ est un gaz à effet de serre, dont le potentiel de réchauffement global (PRG) est 17 200 fois supérieur à celui du CO₂ sur une période de 100 ans. Le trifluorure d'azote est principalement utilisé pour éliminer le silicium et ses composés lors de la fabrication de semi-conducteurs tels que les écrans LCD, certaines cellules solaires à couches minces et d'autres composants microélectroniques. Dans ces applications, le NF₃ est initialement décomposé dans un plasma. Les radicaux fluorés ainsi formés attaquent le polysilicium, le nitrure de silicium et l'oxyde de silicium. Ils peuvent également être utilisés pour éliminer le siliciure de tungstène, le tungstène et certains autres métaux. En plus de servir d'agent de gravure dans la fabrication de dispositifs, le NF3 est également largement utilisé pour nettoyer les chambres PECVD.
Le NF3 se dissocie plus facilement sous décharge basse pression que les composés perfluorés (PFC) et l'hexafluorure de soufre (SF6). L'abondance accrue de radicaux libres chargés négativement ainsi générés permet d'obtenir des taux d'élimination du silicium plus élevés et offre d'autres avantages, tels qu'une contamination résiduelle réduite et une contrainte de charge nette plus faible sur le dispositif en cours de fabrication. Agent de gravure et de nettoyage consommé plus rapidement, le NF3 est également présenté comme une alternative plus respectueuse de l'environnement au SF6 ou aux PFC comme l'hexafluoroéthane. Le trifluorure d'azote est également utilisé dans les lasers à fluorure d'hydrogène et à fluorure de deutérium, qui sont des lasers chimiques. Dans ce cas également, il est préféré au fluor gazeux en raison de sa plus grande facilité de manipulation.
Applications
· Utilisé pour le nettoyage de la chambre CVD ou la gravure de la couche de dépôt en phase vapeur (film) lors du processus de production de semi-conducteurs, de TFT-LCD et de cellules solaires.
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