Allemand (GeH4)
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Contactez-nousCaractéristiques
| Pureté, % | 99,999 |
| Oxygène + Argon | ≤0,5 ppmv |
| Azote | ≤ 2,0 ppmv |
| dioxyde de carbone | ≤ 2,0 ppmv |
| Monoxyde de carbone | ≤1,0 ppmv |
| Méthane | ≤1,0 ppmv |
| Eau | ≤1,0 ppmv |
| Chlorogermanes | ≤ 5,0 ppmv |
| Pelles mécaniques* | ≤20,0 ppmv |
| Germoxanes | ≤ 5,0 ppmv |
| Hydrogène* | ≤50,0 ppmv |
| Trigerman | ≤1,0 ppmv |
Informations techniques
| État du cylindre à 21,1 °C | Gaz |
| Limites d'inflammabilité dans l'air | 0,5-100% |
| Température d'auto-allumage (°C) | 54.4 |
| Masse moléculaire (g/mol) | 76,62 |
| Densité relative (air = 1) | 2,65 |
| Température critique ( °C ) | 34,8 |
| Pression critique (psig) |
Description
Le germane est le composé chimique de formule GeH₄, analogue du méthane au niveau du germanium. C'est l'hydrure de germanium le plus simple et l'un des composés les plus utiles du germanium. À l'instar du silane et du méthane, le germane possède une structure tétraédrique. Sa combustion dans l'air produit du dioxyde de germanium (GeO₂) et de l'eau. Le germane est un hydrure du groupe 14.
Le gaz se décompose aux alentours de 600 K (327 °C ; 620 °F) en germanium et en hydrogène. Du fait de sa labilité thermique, le germane est utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs pour la croissance épitaxiale du germanium par MOVPE ou épitaxie par jets chimiques. Des précurseurs organogermaniques (par exemple, l'isobutylgermane, les trichlorures d'alkylgermanium et le trichlorure de diméthylaminogermanium) ont été étudiés comme alternatives liquides moins dangereuses au germane pour le dépôt de films contenant du germanium par MOVPE.
Le germane est un gaz hautement inflammable, potentiellement pyrophorique et très toxique. La CL50 chez le rat après une heure d'exposition est de 622 ppm. L'inhalation ou l'exposition peut entraîner un malaise, des maux de tête, des vertiges, des évanouissements, une dyspnée, des nausées, des vomissements, des lésions rénales et des effets hémolytiques.
Applications
Utilisé pour le dépôt d'alliages de silicium-germanium épitaxiaux et amorphes, et comme composant pour le PECVD de films (Si, Ge)O2 avec un indice de réfraction contrôlable pour la photonique.
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