Dichlorosilane DCS (SiH2Cl2)
N'hésitez plus ! Contactez-nous dès maintenant !
Contactez-nousCaractéristiques
| Pureté, % | 99 | 99,9 |
| Résistivité typique | ≥ 200 ohm-cm | ≥ 400 ohm-cm |
| Monochlorosilane | ≤ 0,2% | ≤ 100 h |
| Trichlorosilane | ≤ 0,5% | ≤ 14 h 00 |
| tétrachlorure de silicium | ≤ 0,1% | ≤ 100 h |
| Autres chlorosilanes | ≤ 1 % en poids | ≤ 17 h 00 |
Informations techniques
| État du cylindre à 21,1 °C | Liquide |
| Limites d'inflammabilité dans l'air | 4,1-98,8% |
| Température d'auto-allumage (°C) | 100 |
| Masse moléculaire (g/mol) | 101,01 |
| Densité relative (air = 1) | 3,47 |
| Température critique ( °C ) | 175,85 |
| Pression critique (psig) | 678.2 |
Description
Le dichlorosilane, ou DCS, est un composé chimique de formule H₂SiCl₂. Il est principalement utilisé, mélangé à de l'ammoniac (NH₃), dans les chambres LPCVD pour la croissance de nitrure de silicium lors de la fabrication de semi-conducteurs. Une concentration plus élevée de DCS·NH₃ (par exemple 16:1) permet généralement d'obtenir des films de nitrure moins contraints.
Le dichlorosilane doit être ultrapurifié et concentré pour la fabrication de couches épitaxiales de silicium semi-conductrices, utilisées en microélectronique. La croissance de ces couches permet d'obtenir des couches épitaxiales épaisses, conférant une structure robuste. Le dichlorosilane est utilisé comme matière première pour ces couches semi-conductrices, notamment grâce à sa température de décomposition plus basse et à sa capacité à favoriser une croissance cristalline rapide du silicium.
Il s'agit d'un gaz chimiquement actif qui s'hydrolyse facilement et s'enflamme spontanément au contact de l'air. Le dichlorosilane est également très toxique ; des mesures de précaution doivent donc être prises pour toute expérience impliquant son utilisation. Les risques pour la sécurité comprennent également l'irritation de la peau et des yeux, ainsi que l'inhalation.
Applications
● Le SiH2CL2 est un gaz précurseur de silicium utilisé en combinaison avec de l'ammoniac pour le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de nitrure de silicium.
● Également utilisé pour le dépôt épitaxial de silicium.